【摘 要】
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采用嵌入式电容材料替代分离式电容元件是电子产品的发展趋势.钛酸钡型嵌入式电容材料具有优异性能,是目前市场上的主要产品.但是随着电子产品对高频应用需求的增加,钛酸钡型嵌入式电容材料由于材料本身的限制,有时很难满足要求.本文采用钛酸锶替代钛酸钡制造嵌入式电容材料,研究了用其制造的不同尺寸电容元件的介电性能,发现这类材料能够满足现有电容密度要求,且在高频下的介电损耗表现更佳.另外,所研制的钛酸锶型嵌入式
【机 构】
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采用嵌入式电容材料替代分离式电容元件是电子产品的发展趋势.钛酸钡型嵌入式电容材料具有优异性能,是目前市场上的主要产品.但是随着电子产品对高频应用需求的增加,钛酸钡型嵌入式电容材料由于材料本身的限制,有时很难满足要求.本文采用钛酸锶替代钛酸钡制造嵌入式电容材料,研究了用其制造的不同尺寸电容元件的介电性能,发现这类材料能够满足现有电容密度要求,且在高频下的介电损耗表现更佳.另外,所研制的钛酸锶型嵌入式电容材料的剥离强度在10N/mm以上,可以满足应用需求.钛酸锶型嵌入式电容材料具备较充分的工业生产条件,可以作为钛酸钡型嵌入式电容材料的一种应用补充,,极具商业开发价值.
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