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为了研究卤素取代对NiMn2O4电学性能的影响，我们借助密度泛函理论和二维相关分析技术计算了氧缺陷的形成机制和氧缺陷对锰氧八面体中Mn-O间电子传递的影响.计算结果表明：氧和卤素间的pp杂化轨道和锰氧间的d-p杂化轨道促使了氧空位的形成.氧空位导致锰原子表面电荷的进一步歧化，从而电子转移由Mn4+-3d4-t2g(三重简并)和e2g(二重简并)转变为Mn3+-3d5-t2g.由此增大了价带中O2p4轨道到未被占据的Mn-3d5轨道间电子的转移，增强了高占据的O-2p4轨道和未被占据的Mn-3d5轨道间的电子相互作用.这为研究与设计新型热敏材料开拓了新方向.