【摘 要】
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本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验证梯度AlxGa1-xN层对GaN薄膜质量与应力的影
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春,130012
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验证梯度AlxGa1-xN层对GaN薄膜质量与应力的影响,做了三个系列实验,在保持AlN缓冲层和GaN薄膜生长条件一致的前提下,分别改变AlxGa1-xN层生长温度,厚度和生长速率.通过优化AxGa1-xN层生长条件,GaN薄膜(0002)和(10-12)摇摆曲线半峰宽达到238arcsec和298arcsec,并具有良好的光学特性.
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