【摘 要】
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介绍以超细碳化硅为原料,以铝粉为助烧剂,采用等离子放电烧结法制备碳化硅,并研究了铝含量和对碳化硅陶瓷的力学性能和显微结构的影响.采用等离子放电烧结法,通过快速升温,并加以45Mpa左右的压力,可以在较短时间内和较低温度下得到细晶粒的致密碳化硅.适量铝粉的加入可以显著降低碳化硅烧结的初始温度,促进碳化硅的致密化.力学性能测试表明,随铝含量的增加,碳化硅性能改善,当铝含量超过3﹪时,碳化硅性能又随之下
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介绍以超细碳化硅为原料,以铝粉为助烧剂,采用等离子放电烧结法制备碳化硅,并研究了铝含量和对碳化硅陶瓷的力学性能和显微结构的影响.采用等离子放电烧结法,通过快速升温,并加以45Mpa左右的压力,可以在较短时间内和较低温度下得到细晶粒的致密碳化硅.适量铝粉的加入可以显著降低碳化硅烧结的初始温度,促进碳化硅的致密化.力学性能测试表明,随铝含量的增加,碳化硅性能改善,当铝含量超过3﹪时,碳化硅性能又随之下降.含铝3﹪(质量分数)的碳化硅样品相对密度达99﹪,抗弯强度达670Mpa.
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采用可溶性无机盐为原料,利用溶胶-凝胶法分别在AlO和Si(111)/SiOTi/Pt的衬底材料上制备了SrBiTaO铁电薄膜.通过SEM及XRD等微观分析手段,研究了不同衬底材料对凝胶膜与晶态膜的开裂情况、成相情况、晶体取向及微观结构等方面的影响,从实验和理论方面进行了探讨,为无机盐溶液源制备SrBiTaO铁电薄膜提供了研究基础.
研究了超细YO粉体AIN陶瓷致密化、热导率以及微结构的影响,讨论了产生这些影响的原因.研究发现,在较低的烧结温度下,超细YO有利于提高AIN陶瓷的致密度和热导率.在较高温度下,该粉体对AIN陶瓷的致密度和热导率影响不大,但可以改善晶粒的生长.
简述了中高压电容瓷料的发展概况,详细介绍了高介电常数2E4组中高压电容瓷料的研制情况,结果表明采用喷雾造粒法批量生产成功瓷料的介电性能为:介电常数ε=10 000±800,介电损耗D>3kV/mm(AC).
采用热压烧结方法制备了3种不同锆含量的掺La 0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷,并测试了材料的室温压电应变常数d,其中1种锆含量为52﹪的热压样品其d值高达740 pC/N.测定了PZN-PZT陶瓷的谐振频率f,弹性柔顺系数S,相对介电常数ε,相电耦合系数K和压电应变数学d等性能随温度的变化.研究表明,锆含量为48﹪时,热压烧结样品的温度稳定性最佳.常压和热压烧结的PZN-PZT陶瓷的温度稳定性
通过铌铁矿预产物法制备出了0.70Pb(NiNbO-0.30PbTiO-xNiO(x=0,0.01,0.015,0.02,0.03)铁电陶瓷,对其相结构和介电、铁电性能进行了研究.XRD表明镍在PNN-PT陶瓷中过量1mol/﹪就达到饱和;介电性能的研究显示适度过量的镍和退火工艺能很好的改善PNN-PT陶瓷的介电性能;另外,过量的镍还使得PNN-RT陶瓷的弥散特性和铁电性能下降.
对用铝粉、硅粉和氧化铝粉在1 500℃的流动氮气中制备的不同Z值β-Sialon材料的抗高炉渣侵蚀的能力进行了研究.结果表明:β-Sialon的抗高炉渣侵蚀能力随Z值的减少而增强.采用Variation法研究得出β-Sialon与渣侵反应界面类海岸线的分形维数在1.34~1.49范围内.随着β-Sialon试样Z值的降低,其分形维数下降,材料表现良好的抗高炉渣侵蚀的能力.
以NiO和γ-AlO粉末为研究对象,采用固相反应法来制备NiAlO,详细讨论了烧结温度和原料配比对NiAlO产率的影响,制得高纯NiAlO(达99.5﹪).
凝胶注模成型技术由于使用了具有神经毒性的单体-丙烯酰胺,其工业应用便一定程度也受到了限制,寻找低毒的替代单体一直是本领域的一个难点.本工作利用低毒的甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)凝胶注模成型了AlO,并通过加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)改进了该体系成型坯体易破裂的缺点.研究了改进体系AlO浆料的流变性及并制备了低粘度高固相含量的浆料,制得了强度达14Mpa的陶瓷素坯.SEM照片表明新体系的素坯具有均匀
研究了由AlN,AlO和MgO合成MgAlON材料的合成机理和初期烧结机理.结果指出:在1200℃以前MgO首先与AlO反应形成镁铝尖晶石,然后随着温度的升高,AlO不断向所形成的尖晶石中固溶.1300℃以后AlN才开始向尖晶石中固溶形成MgAAlON.到达1550℃时才形成单相MgAlON.根据MgAlON材料在烧结过程的热膨胀行为和固相烧结理论得出MgAlON材料烧结初期的烧结机理是以体积扩散
利用碳热还原氮化固体废渣-煤矸石,制备了纯度较高的β-Sialon/β-SiC复相陶瓷粉体.利用SEM观察了反应前后颗粒形貌变化,X射线衍射研究了该过程中物相的转变过程.反应一段时间后颗粒形成疏松多孔结构有利于气相反应物的输送,促进了β-Sialon的生成.