文章重点介绍应用于标准参考物质样品制造的线曝光图形处理技术、电子束与光学曝光混合光刻技术、高反差高分辨率电子抗蚀剂HSQ工艺技术、邻近效应校正技术等，同时介绍探索性地开展把电子束光刻与X射线深曝光及精密微电镀技术相结合的工艺技术应用于金结构纳米尺度标准参考物质制造技术的研究。由于该样品制备难度很大，我们通过长期摸索，最后决定采用光学光刻技术制备样品的外围图形，然后再采用电子束与光学混合光刻技术直接在硅片上写出样品的核心部分。由于标准参考物质样品的栅格周期尺寸要达到100纳米以下，密集栅格线条宽度必须小于50nm，为保证线条的边缘平滑、陡直、均匀，我们采用具有高反差、高分辨率的HSQ电子抗蚀剂曝光，显影后直接生成含有SiO2成分的栅条。实验证明该材料能够很好满足标准参考物质的性能要求。