论文部分内容阅读
多离子束反应共溅射法在Pt/α-Al#-[2]O#-[3]、Si、Kg玻璃基片上制备PLT薄膜的初步
【机 构】
:
四川大学
【出 处】
:
第六届全国电介质物理、第二届全国工程电介质学术会议
【发表日期】
:
1991年期
其他文献
该文报道了用一台新型弧热氮原子束源进行氮化物薄膜的合成。氮原子束的强度达到10〈’19〉原子/弧度.秒,平均动能在1-2eV左右。该氮原子束源的工作气体为纯氮气,起弧方式为由辉光放电向弧
高中英语教学中词汇教学是非常关键的一个重要问题,为此,进行了阐述。
Vocabulary teaching in high school English teaching is a very important and important issue. T
简要叙述了锗基片微光学元件红外宽带减反膜的设计与制作。着重介绍了离子束辅助淀积制备该膜系的过程,给出了用该方法制作8~12μm波段的减反膜的测试曲线,它具有峰值透过率高,在
采用低能O离子束辅助脉冲激光淀积(IBA-PLD)法进行ZnO薄膜外延生长研究。X射线衍射(XRD)结果表明,有低能O离子束辅助淀积,利用波长为532nm的Nd:YAG固体脉冲激光,在P-Si(111)衬底
离子束辅助沉积(IBAD)是集离子注入和真空镀膜技术的优点下一体的材料表面改性新技术,在材料的腐蚀防护、装饰等方面获得工业应用。该文探索应用IBAD于特种金属铀的腐蚀防护。通
该文介绍了用离子束合成法研制新型材料β-C〈,3〉N〈,4〉的条件及过程,用RBS、XRD和XPS等手段,分析研究该方法生成物的配比、结构和物相,观察到CN化合物多晶。
该文围绕离子束对材料(主要是金属材料)表面改性处理,分别扼要介绍了属于此范围的几项主要技术。即离子注入、离子束混合、各种离子束淀积等技术的研究和应用。并且还综述了作者
用低能量(550eV)氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面,能改善其阈值电压Vr、跨导g〈,m〉、沟道电导g〈,d〉、有效迁移率μ〈,eff〉等参数。结果表明,随着轰击时间的增加,阈值电压先减小,然后增大;而跨导、沟道电