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Ge2Sb2Te5(GST)薄膜作为目前两种主要的相变存储介质之一,其性能的改进十分重要,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一.本工作运用椭圆偏振光谱测量术研究了适量掺杂对GST 薄膜相变特性的影响.利用LAB600sp 型磁控溅射系统、采用共溅射方式制备适量掺杂的Ge2Sb2Te5 相变薄膜样品Mx(Ge2Sb2Te5)100-x,其中M 为掺杂元素(如金属Al、Ti、Ag、半导体Si、ZrO2、TiO2 或N、O 等).