【摘 要】
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本文通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LED电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LED电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LED的电流分布
【机 构】
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中科院半导体所照明研发中心,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文通过理论分析与数值计算,建立起了垂直结构GaN基LED电流分布模型,研究了垂直结构GaN基LED电流分布及I-V特性。结果表明,与传统平面结构比较,垂直结构GaN基LED的电流分布均匀性得到明显改善,同时正向电压降低约7%。最后,测试结果表明实验结果和理论计算值相吻合。
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