低结电容瞬变电压抑制二极管原理及其应用

来源 :2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hnfengzhong
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  瞬态电压抑制二极管是一种高效能的电路保护器件。具有体积小、响应快、瞬间吸收功率大、无噪声等优点,已广泛应用各个领域,尤其是在电源浪涌保护上的应用。瞬变电压抑制二极管(以下简称TVS)由于反向电流很大,这种特性就决定了其芯片面积大,耗尽区较窄,因此结电容必然很大,这就限制了该器件在电路中,特别是在高频电源和信号传输线中的应用。常规的瞬态电压抑制二极管的结电容通常在几百甚至上千pF左右,在器件未工作时,将等效为一个上千pF的电容,并联在信号传输线上将导致高频信号在容性负载下的失真,严重时将导致传输线上的高频信号完全湮没而出现系统故障。因此,迫切需要一种低电容效应的瞬态电压抑制二极管来解决高频电子线路中因为结电容大造成信号失真的问题。
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