B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征

来源 :2008年全国材料研讨会——材料表面与界面分会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ttcj_008

【摘要】

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采用射频磁控溅射方法,以石墨和六方氮化硼(h-BN)为复合靶,在氩气和氮气的氛围中,在室温和673 K的条件下,分别改变N2流量,沉积BCN薄膜.经傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,

【作者】

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贾福超[1]白亦真[1]庄春强[2]屈芳[1]邢娇杨[1]赵纪军[3]姜辛[4]

【机构】

：

大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁,大连,116023

【出处】

：

2008年全国材料研讨会——材料表面与界面分会

【发表日期】

：

2008年期

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采用射频磁控溅射方法,以石墨和六方氮化硼(h-BN)为复合靶,在氩气和氮气的氛围中,在室温和673 K的条件下,分别改变N2流量,沉积BCN薄膜.经傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,在1000～1800 cm-1和2200 cm-1处分别出现了C=N键和弱的C≡N键的特征吸收峰,表明沉积的薄膜组分当中,少量碳原子与氮原子结合.而分别溅射石墨和h-BN靶,红外光谱分析显示1100 cm-1处不是B-C键.说明采用射频磁控溅射方法得到的薄膜倾向于相分离.

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