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宽禁带半导体ZnO优异的光学和电学性质使其在光电器件领域具有广阔的应用前景，吸引了众多科研工作者的关注。本文将介绍我们研究组在ZnO基紫外光发射器件和忆阻器件等方面的研究进展。如何利用ZnO的高激子束缚能、获得高效的电注入激子发射器件长期以来一直是研究的热点。我们从平面器件和纳米器件两个维度开展了ZnO基紫外光发射器件的研究。根据能带工程思想，设计并构建了p-GaN/i-ZnO/n-ZnO (PIN)异质结和Au/MgO/ZnO QIS)异质结光发射器件，获得了源于ZnO的电注入紫外发射。