【摘 要】
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本文利用迁移率谱技术分析了离子束刻蚀后的碲镉汞材料,发现p型碲镉汞材料在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和较高迁移率的体电
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海 200083
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本文利用迁移率谱技术分析了离子束刻蚀后的碲镉汞材料,发现p型碲镉汞材料在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和较高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱,表明表面电子的迁移率不随温度而变化,而体电子的迁移率随温度变化与传统的n型碲镉汞材料的趋势一致.剥层霍尔测试显示体电子层的电学性质均匀.
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