掺磷纳米硅薄膜的电导特性

来源 :第四届全国微米/纳米技术学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：seraph4543

【摘要】

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用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法实现了纳米硅(nc-Si:H)薄膜的磷掺杂.磷掺杂样品的电导在10-10Ωcm之间,比本征纳米硅样品提高两个数量级.同时改变掺磷浓度可以控制电导的

【作者】

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刘明王子欧何宇亮

【机构】

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中科院微电子中心

【出处】

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第四届全国微米/纳米技术学术会议

【发表日期】

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2000年期

【关键词】

：

掺磷纳米硅薄膜磷掺杂异质结量子点模型电导激活能掺杂样品化学汽相淀积温度曲线传导机制磷浓度非晶硅等离子增强控制解释结构拐点

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用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法实现了纳米硅(nc-Si:H)薄膜的磷掺杂.磷掺杂样品的电导在10<-1>-10<1>Ω<-1>cm<-1>之间,比本征纳米硅样品提高两个数量级.同时改变掺磷浓度可以控制电导的改变.一组掺杂纳米硅样品电导的温度曲线表明:存在于非晶硅中的温度拐点消失,电导激活能进一步下降.结合磷掺杂纳术硅薄膜的结构,用异质结量子点模型对磷掺杂nc-Si:H薄膜的传导机制进行了解释.

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