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紫外曝光和电子束曝光等所用传统掩膜一般都平铺在基底上.当用反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等干法刻蚀方法对基底进行刻蚀的时候,气体的轰击作用会使掩膜面积缩小,掩膜边缘损坏,变得粗糙不平1,2,3.这不仅会导致刻蚀出来的样品陡直度降低,还会导致样品形状变形,出现侧壁条纹等现象4,5.