论文部分内容阅读
通过测试掺硼硅片氧化后的有效少数载流子寿命和经过多次热处理的掺硼硅片有效少数载流子寿命，以及通过二次离子质谱(SIMS)的方法测试硅片中硼原子的分布，提示了在BSFR太阳电池生产过程掺硼硅片氧化后其背场效果下降原因：氧化时硼原子的分凝效应使得硅-二氧化硅界面处硅中的杂质浓度比硅本体中最高杂质浓度下降了两个数量级，导致重硼掺杂的场效应钝化效果减弱，降低了BSFR太阳电池的开路电压。