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本文采用共蒸发方法制备GaSb薄膜。XRD测试结果表明,薄膜为多晶结构,具有(111)择优取向；随着衬底温度的升高,薄膜晶粒尺寸增大；光学测试表明,薄膜的吸收系数达到104cm-1,制备的薄膜的光学带隙为0.726eV；Hall测试表明薄膜导电类型为P型；在350温度下退火后,薄膜晶体质量劣化,表面的Sb含量增加。