【摘 要】
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采用RF磁控溅射方法在玻璃衬底上制备本征ZnO(i-ZnO)薄膜,利用XRD和SEM研究了氧氩比(O2/(O2+Ar))对薄膜结构性能及表面形貌的影响,结果表明,O2/(O2+Ar)比对i-ZnO薄膜的结构性
【机 构】
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中南大学冶金科学与工程学院 湖南省长沙市 410012
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采用RF磁控溅射方法在玻璃衬底上制备本征ZnO(i-ZnO)薄膜,利用XRD和SEM研究了氧氩比(O2/(O2+Ar))对薄膜结构性能及表面形貌的影响,结果表明,O2/(O2+Ar)比对i-ZnO薄膜的结构性能的影响十分显著,随着,O2/(O2+Ar)比的升高,薄膜的结晶性能呈现出了规律性的变化,在,O2/(O2+Ar)比为20％时,薄膜的c轴取向最好,晶面间距最接近标准i-ZnO晶面间距(0.2603nm),晶粒尺寸最大,为51.75nm.i-ZnO薄膜表面形貌随着O2/(O2+Ar)比的增加变得致密,平滑。
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