Analysis of Oscillations in Si-IGBT/SiC-SBD Hybrid Power Module

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chenliquanhao

【摘要】

：

A silicon insulated-gate bipolar-transistors (IGBTs) and silcon-carbide (SIC) Schottky barrier diodes (SBD) hybrid power module have been manufactured and tested.The power modules have been tested in

【作者】

：

Yudong Wu Xiaoping Dai Chengzhan Li Jingjing Shi Yongdian Peng Wangjun Zhou Jie Fang Huajun Shen Xinyu Liu

【机构】

：

Zhuzhou CSR Times Electric Co., LTD., Zhuzhou, 412001, China

【出处】

：

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2012年11期

【关键词】

：

SiC SBD Hybrid Power Module Oscillation Off-state resistanc

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　　A silicon insulated-gate bipolar-transistors (IGBTs) and silcon-carbide (SIC) Schottky barrier diodes (SBD) hybrid power module have been manufactured and tested.The power modules have been tested in an inductive switching circuit and exhibited turn off oscillation.According to the equivalent sub-circuit of SiC SBD,lower off-state resistance play an important role for the turn off oscillation in hybrid module.

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