埋沟结构相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

埋沟结构相关论文

一种具有埋沟结构的SiCIGBT的设计与分析

SiC IGBT的沟道载流子迁移率会因为SiC/SiO2界面态及离子注入后退火形成P阱产生的界面粗糙而降低,为了改善这种影响,本文中设计了......

会议

绝缘栅双极晶体管埋沟结构离子注入电子迁移率

CCD多路信号传输器的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了１６位线阵ＣＣＤ多路信号传输器，器件动态范围达４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％。文章阐述该器件的结构、工作......

期刊

CCD 多路信号传输器多晶硅交迭栅埋沟结构

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