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埋沟结构相关论文
一种具有埋沟结构的SiCIGBT的设计与分析
SiC IGBT的沟道载流子迁移率会因为SiC/SiO2界面态及离子注入后退火形成P阱产生的界面粗糙而降低,为了改善这种影响,本文中设计了......
会议
绝缘栅双极晶体管
埋沟结构
离子注入
电子迁移率
CCD多路信号传输器的研制
采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构,设计并研制成功了16位线阵CCD多路信号传输器,器件动态范围达45dB,转移效率≥99.99%。文章阐述该器件的结构、工作......
期刊
CCD
多路信号传输器
多晶硅
交迭栅
埋沟结构
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