【摘 要】
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用魔环结构的钕铁硼永磁体,向半导体硅熔体所在空间,引入磁感应强度(0～0.27特斯拉连续可调),采用回转振荡法测量熔硅的粘度,结果表明,熔硅粘度随着磁场强度的增加而增加,二者
【机 构】
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河北工业大学材料学院,300130
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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用魔环结构的钕铁硼永磁体,向半导体硅熔体所在空间,引入磁感应强度(0～0.27特斯拉连续可调),采用回转振荡法测量熔硅的粘度,结果表明,熔硅粘度随着磁场强度的增加而增加,二者呈典型抛物线关系.熔硅温度升高,磁场影响加剧,抛物线更加陡峭.1420～1550℃温度区间内,熔体粘度有异常起伏,反映出熔硅结构(熔硅原子结合状态)发生变化.当引入磁感应强度值为0.15特斯拉时,熔硅粘度值增加30倍,证实引入磁场是硅单晶大直径生长,抑制熔硅热对流的有效措施.
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