不同剂量率下MOSFET的辐照响应和退火行为

来源 :第六届电子产品防护技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：oolongge

【摘要】

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本文研究了国产商用MOSFET在0.01.1、50 rad(Si)/s三种剂量率条件下的电离辐照效应及退火特性.结果表明,由于辐照感生的氧化物电荷和界面态在不同剂量率辐照下的贡献不同及性

【作者】

：

陆妩任迪远郭旗余学峰

【机构】

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中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011

【出处】

：

第六届电子产品防护技术研讨会

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

剂量率金氧半场效晶体管辐照响应退火行为

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本文研究了国产商用MOSFET在0.01.1、50 rad(Si)/s三种剂量率条件下的电离辐照效应及退火特性.结果表明,由于辐照感生的氧化物电荷和界面态在不同剂量率辐照下的贡献不同及性质相异,NMOSFET和PMOSFET显示出不同的响应特性:对于MMOS管,用较高剂量率辐照加室温退火可以预示其低剂量率的辐射损伤,而PMOS管则无法预估其在低剂量率辐照时的损伤明显增大.文中对造成两者明显差异的损伤机理进行了较深入的分析.

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