【摘 要】
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半金属Fe3O4具有较高的居里温度(858K)和理论上100％的自旋极化率，是自旋电子学器件的理想候选材料.近年来Fe3O4由于其半金属特性而备受关注.我们采用对向靶反应溅射法在MgO
【机 构】
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天津大学理学院现代材料物理研究所 天津 300072
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半金属Fe3O4具有较高的居里温度(858K)和理论上100％的自旋极化率，是自旋电子学器件的理想候选材料.近年来Fe3O4由于其半金属特性而备受关注.我们采用对向靶反应溅射法在MgO、c–Al2O3、SrTiO3、Nb：SrTiO3、ZnO等基底上制备了外延Fe3O4薄膜以及外延Fe3O4/ZnO、Fe3O4/Nb：SrTiO3、Fe3O4/BiFeO3等异质结构，并对其磁各向异性和各向异性磁电阻进行了研究.X射线衍射和断面高分辨透射电镜的结果均表明在单晶基底上用反应溅射法制备的Fe3O4为具有尖晶石结构的外延薄膜.
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