【摘 要】
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本文研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用了自对准双极结构,人为生长RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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本文研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用了自对准双极结构,人为生长RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益—温度依赖关系,而且还具有较快的工作速度.此外,我们还首次制备出多晶硅发射区RCA ECL静态二分频器,在室温下工作频率为1.1～1.2GHz,在液氮温度下能够正常工作,工作频率可达730MHz.
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