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GaAsGaSb异质纳米线的分子束外延生长

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aa3002

【摘 要】

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近些年来,Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于其在红外探测、激光器和太阳能电池等方面有着诱人的应用前景引起人们广泛关注.而纳米线异质结能够极大地拓宽研究者在材料组合上的选择空

【作 者】

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石遂兴 魏冬冬 张智 陈平平 张旭涛 邹进 

【机 构】

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红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,玉田路500号,上海,200083MaterialsEngineering,theUniversityofQueensland,St.Lucia,

【出 处】

：

第十一届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2015年8期

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近些年来,Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于其在红外探测、激光器和太阳能电池等方面有着诱人的应用前景引起人们广泛关注.而纳米线异质结能够极大地拓宽研究者在材料组合上的选择空间,同时还能够呈现出新的物理特性与应用.GaSb禁带宽度0.75ev,在所有Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中有着最大的空穴迁移率(850cm2V-1s-1),非常适合于红外探测器件和高速电子器件方面的应用.而基于GaSb的异质结纳米线往往有着独特的能带结构,如GaSb/InAs(Sb)异质结有着不连续的第Ⅲ类能带结构可以形成天然的带间隧穿结,这在太阳能电池、负微分电阻(NDR)、隧穿二极管、隧穿场效应晶体管(TFET)等领域有着重要应用.

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