【摘 要】
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硅通孔(TSV)作为重要的信号、电源通道，在三维集成电路中有着极其重要的作用，但是实际工艺中，由于工艺操作及环境等因素，会导致TSV的开路及短路缺陷。文章针对以上两种不同的缺陷
【机 构】
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西安理工大学陕西省军民两用集成电路设计中心,陕西 西安 710048
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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硅通孔(TSV)作为重要的信号、电源通道，在三维集成电路中有着极其重要的作用，但是实际工艺中，由于工艺操作及环境等因素，会导致TSV的开路及短路缺陷。文章针对以上两种不同的缺陷,提出了一种使用双锁存器结构对两种缺陷进行分析测试的方法.该结构无需外接参考电压及测试电路,与数字工艺库及数字集成电路兼容性强,结构简单,具有面积小,速度快,功耗小等优点,尤其适用于超大规模集成电路的测试,也可对键合前及键合后的芯片进行测试.对提案方法采用UMC 110nm标准单元库进行了模型建立、测试系统搭建和测试分析,结果表明,测试电路可以对不同等级的缺陷进行检测,对3D大规模集成电路的可测试性研究具有重要的意义.
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