【摘 要】
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单晶硅经电子辐照后,由于大量的辐照缺陷充当多数载流子的陷阱,使得电阻率增加,少子寿命下降.在随后的退火过程中,当退火温度不断升高,这些缺陷阱不断消失,晶体的导电能力也就不断恢复.实验表明750℃退火,少子寿命值出现一个低谷,此时电阻率也明显低于真实值,而且随着时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,辐照剂量越高电阻率下降幅度越大,研究发现该温度下电阻率的下降与辐照相关联,是由辐照在硅中引入了施主态的缺
【机 构】
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河北工业大学材料学院,天津300130 天津市技术物理研究所,天津300192
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工学部第七届学术会议
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单晶硅经电子辐照后,由于大量的辐照缺陷充当多数载流子的陷阱,使得电阻率增加,少子寿命下降.在随后的退火过程中,当退火温度不断升高,这些缺陷阱不断消失,晶体的导电能力也就不断恢复.实验表明750℃退火,少子寿命值出现一个低谷,此时电阻率也明显低于真实值,而且随着时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,辐照剂量越高电阻率下降幅度越大,研究发现该温度下电阻率的下降与辐照相关联,是由辐照在硅中引入了施主态的缺陷造成.
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