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量子点的分子束外延可控生长为调控低维量子结构的物理性质开辟了一个新的有效途径.借助于图案Si衬底,可以实现对GeSi量子点的形貌、位置、有序性和均匀性的生长调控[1].这些进展为研究单个GeSi量子点的物理性质,研究GeSi量子点间的量子态耦合效应以及探索GeSi量子点的新型光电器件应用奠定了基础.单量子点的光学和电学器件应用十分具有吸引力,如量子点-单电子晶体管[2],单量子点-光子晶体微腔[3]等.实现低密度定位生长的GeSi量子点有利于GeSi单量子点器件应用.