【摘 要】
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基于直接等离子体注入(Direct Plasma Injection Scheme,DPIS)的方法,设计并建造了一台低能段离子加速装置;目前实验上利用该方法成功地加速了峰值流强为11.28 mA,能量为593
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所,兰州730000;中国科学院大学,北京100049中国科学院近代物理研究所,兰州730000
【出 处】
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2014全国荷电粒子源、粒子束学术会议(中国电工技术学会第十五届全国电子束离子束学术年会、粒子加速器学会第十四届全国离子
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基于直接等离子体注入(Direct Plasma Injection Scheme,DPIS)的方法,设计并建造了一台低能段离子加速装置;目前实验上利用该方法成功地加速了峰值流强为11.28 mA,能量为593 keV/u的C6+脉冲束流.考虑到激光离子源产生的束流为脉冲束,且具有能散大,强度高等特点,给低能传输线(LEBT)的设计带来很大的困难,而DPIS方法则简单易行,可有效地提高注入效率;因此该装置将激光离子源与RFQ直接连接在一起,将离子源产生的等离子体直接注入到RFQ,并没有采用传统的LEBT.并采用IGUN程序对该注入方法进行了模拟,计算确定了离子源引出的强流脉冲束的参数以及注入效率,模拟的结果与实验的测量值一致.
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