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本文利用分子束外延(MBE)设备，采用调节生长温度控制In组分的方法，获得了高质量的全组分InxGa1-xN合金薄膜，并对其b因子进行了深入研究。
全组分InGaN薄膜的MBE生长及其物性研究
【摘 要】
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本文利用分子束外延(MBE)设备，采用调节生长温度控制In组分的方法，获得了高质量的全组分InxGa1-xN合金薄膜，并对其b因子进行了深入研究。
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
【出 处】
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第十八届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2011年8期
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