p-GaN相关论文
考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前......
期刊
随着5G通讯及轻型紧凑类消费电子产品市场的迅速发展,氮化镓（Ga N）功率器件凭借高功率密度、高开关速度响应等优势,在半导体器件中展......
GaN基蓝光、近紫外光及深紫外光LED在照明、显示、医疗与消毒杀菌等领域有着广阔的应用与需求。在GaN基倒装和垂直结构LED中,高反......
氮化镓作为第三代半导体材料的代表，具有优异的物理和化学特性，使其在在发光二极管和激光器等方面得到广泛的应用。而p-GaN欧姆接触......
GaN基半导体材料由于独特的物理性质使得其在LED以及LD器件中得到了越来越多的重视,具有广泛的应用前景。在GaN基器件中,P型GaN高......
Nitride-oxide based p-n heterojunctions synthesized by depositing VO2film on p-GaN/sapphire substrat
Gallium nitride (GaN) was considered to be the most important semiconductor material since silicon,due to its wide band ......
利用同步辐射X射线衍射(XRD),同时运用2è扫描,ù扫描和ù-2è扫描这三种扫描方式研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金......
本文研究了在退火气氛中掺入氧气对p-GaN 激活的影响。当样品在750℃,退火气氛为N2：O2为4：1时得到最小的电阻率。实验表明在纯N2退火......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表......
提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影......
采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细......
对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅高迁移率晶体管(HEMT)器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学......
Nitride-oxide based p-n heterojunctions synthesized by depositing VO2film on p-GaN/sapphire substrat
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作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)在紫外探测方面具有独特的优势。因此,GaN基紫外探测器在民用和军事领域得到了广泛的应用。......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)因具有击穿电场高,禁带宽度大,电子迁移率高等特点,在高温高频、高功率军用电子以及5G通讯等领域有着......
学位
GaN基蓝绿光LED在固态照明、背光、大屏幕显示、信号灯等方面得到了广泛的应用。GaN基紫外、深紫外LED在杀菌消毒、生化探测、医疗......
ZnO作为一种宽带隙(3.37eV)半导体材料，在室温下具有较高的激子束缚能(60meV)，现已在发光二极管和激光器件等领域进行了广泛研究......
会议
采用MOCVD 技术在c面蓝宝石衬底上生长了不同p-GaN厚度的InGaN/GaN p-i-n太阳能电池,p-GaN的厚度分别为0nm,50nm,150nm.通过XR......
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this ......
,Improvement of the light output and contact resistance of InGaN-based light-emitting diodes based o
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In this work,the influence of C concentration to the performance of low temperature growth p-GaN is studied.Through anal......
LEDs器件发展对电极的制备提出了更高的要求，得到低欧姆接触电阻率、高光学透过率、可靠性稳定性良好的电极是电极制作的目标。......
LED是节能、环保型光源，具有低工作电压，低功耗，固体化，小体积，长寿命，无闪频，响应时间快，容易与IC电路匹配，可在各种恶劣环境下使用等特点......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Electrical transport and current properties of rare-earth dysprosium Schottky electrode on p-type Ga
The electrical and current transport properties of rapidly annealed Dy/p-GaN SBD are probed by I–V and C–V techniques.......
在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特......
本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO 蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究，并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN......
通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到......
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this ......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着......
Commercially available AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)are beginning to enter the public scene froma ......
本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究,并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN......
在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子，然后在N2气氛下在850-1150℃之间快速退火，研究了Mg^＋离子注入后样品退火前后的结构、光......
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化......
ZnO∶Ga（GZO）透明电极沉积在p-GaN表面,用作透明电流扩展层。直接沉积在p-GaN上的p-GaN/GZO存在较大的势垒,容易形成肖特基接触,而良......
对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量......
采用MOCVD技术及渐变δ-Mg掺杂方法生长了p型GaN薄膜，对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现，经过950℃下的第......
利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系，指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加......
用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni／Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化，并揭示这种接触结构......
用MOCVD技术生长GaN：Mg外延膜，在550～950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试．Hall测试结果表明，850℃退火......
通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到......
研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降......
