900V耐压硅基增强型Al2O3GaN MOSFET

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：linchenxu

【摘要】

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增强型AlGaN/GaN HEMT在高效高频功率开关领域有着巨大的应用潜力[1],成为国内外研究的热点.本文报道了基于硅衬底的增强型GaN MOSFET的研制以及器件性能.图1是器件的截面示

【作者】

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王野王茂俊张川文正郝一龙吴文刚陈敬沈波

【机构】

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北京大学深圳研究生院信息工程学院,深圳518055;北京大学微电子所,北京100871北京大学微电子所,北京100871香港科技大学电子与计算机工程学系,香港北京大学物理学院,北京100871

【出处】

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第13届全国MOCVD学术会议

【发表日期】

：

2014年5期

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增强型AlGaN/GaN HEMT在高效高频功率开关领域有着巨大的应用潜力[1],成为国内外研究的热点.本文报道了基于硅衬底的增强型GaN MOSFET的研制以及器件性能.图1是器件的截面示意图.通过多次的氧等离子体氧化以及湿法腐蚀逐步刻蚀栅下区域的AlGaN势垒层[2],最终形成增强型工作,并结合ALD生长的Al2O3制备出增强型MOSFET.

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