论文部分内容阅读
利用ＳＩＭＳ方法分别对硅中注入能量为１５ｋｅＶ的注入Ａｓ和注入能量８ｋｅＶ的ＢＦ〈，２〉样品进行了分析检测，研究了不同的分析条件对测试结果的影响，Ａｓ的峰值深度１３ｎｍ，的为２０ｎｍ，检测限Ａｓ为２×１０〈’１６〉ａｔｏｍｓ／ｃｍ〈’３〉，Ｂ为３×１０〈’１６〉ａｔｏｍｓ／ｃｍ〈’３〉。
浅离子注入硅中BF<,2>和As的SIMS分析
【摘 要】
：
利用ＳＩＭＳ方法分别对硅中注入能量为１５ｋｅＶ的注入Ａｓ和注入能量８ｋｅＶ的ＢＦ〈，２〉样品进行了分析检测，研究了不同的分析条件对测试结果的影响，Ａｓ的峰值深度１３ｎｍ，的为２０ｎｍ，检测限Ａｓ为２×１０〈’１６〉ａｔｏｍｓ／ｃｍ〈’３〉，Ｂ为３×１０〈’１６〉ａｔｏｍｓ／ｃｍ〈’３〉。
【机 构】
：
电子材料研究所(天津)
【出 处】
：
1998二次离子质谱学国际研讨会暨第二届全国二次离子质谱学会议
【发表日期】
：
1998年期
其他文献
该工作用测量基区薄层电阻（Ｂ离子注入后经再分布）的陪片样品，用扩展电阻测试仪测量片中载流子浓度（此处即为Ｂ杂质浓度）随深度的变化，将该陪片的邻近区域用ＳＩＭＳ测量Ｂ离子随深度的变化及Ｓｉ离子
介绍了ＳＩＭＳ微机数据采集与处理系统的研制过程。以ＶｉｓｕａｌＣ＋＋和ＶｉｓｕａｌＢａｓｉｃ为基础，通过自行设计的软、硬件，可以控制ＶＧＥＳＣＡＬＡＢ５型多功能电子能谱仪进行ＳＩＭＳ的数据采集和处理工作。并且利用独特的硬件时序设计，实现了多任
一、回溯历史-中西对比rn(一)中国近代大学的诞生rn为了求得经济社会的迅速发展,我国对于外来的事物的学习,经常只注重其实用价值而不去深究其产生原因.虽然中国的书院已有12
期刊
硅中硼的定量分析是二次离子质谱学中的一个典型基础研究课题。该文介绍并评述了硅中硼ＳＩＭＳ定量分析的进展，讨论了相对灵敏度因子法、硅中胡参考物质、影响定量分析的因素、巡回测
对商洛地区鞣料植物资源进行调查，结果表明该区现有揉料植物３４科７２种．分析了该区鞣料植物的类别，有效成份，总结了采收及加工方法．首次对商洛地区鞣料植物进行分类．
对ＳＩＭＯＸ材料进行了ＳＩＭＳ深度剖析，研究了电荷积累效应，二次离子传输效率等实验因素对测试结果的影响，检测的动态范围达三个量级。对国内、外的ＳＩＭＯＸ材料做了对比研究。
自８０年代以来，国际上相继出现了以ＳＨＲＩＭＰ，ＩＳＯＬＡＢ １２０及ＩＭＡ１２７０为代表的新一代高性能二次离子质谱，它们同时具有高灵敏度和高分辨率的优异性能，从而对现代地球和空间科学发展产生了重大影响。并状概述在地