【摘 要】
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PbTe是一种窄禁带半导体,室温禁带宽度 Eg=0.32eV,具有正的温度系数,光学波长位于3-5μm的中红外区域.相比Ⅲ-Ⅴ族中红外材料,其较小的带边有效质量、较低的俄歇复合率以及较
【机 构】
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浙江大学物理系浙江大学硅材料国家重点实验室浙江杭州310027
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PbTe是一种窄禁带半导体,室温禁带宽度 Eg=0.32eV,具有正的温度系数,光学波长位于3-5μm的中红外区域.相比Ⅲ-Ⅴ族中红外材料,其较小的带边有效质量、较低的俄歇复合率以及较大的介电常数,使PbTe具有高的电子空穴迁移率、较高的荧光发射效率和优良的器件容错率,因而它是制作中红外光电子器件的重要材料.较高的晶体质量对改善相应器件的性能至关重要,因而也一直是材料研究的重点.分子束外延生长在BaFz衬底上的PbTe薄膜，由于衬底和薄膜较小的晶格失配可以获得较高的薄膜质量。但由于PbTe晶面相比于低晶格指数的面具有较大的表面能，因而BaFz 衬底上的PbTe外延膜是一个非稳定的系统。研究表明，通过控制生长时衬底温度和合适的束流比例，可以抑制外延膜表面的规则缺陷形成，从而获得高质量的PbTe(111)外延膜。
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