【摘 要】
：
在当前晶硅材料严重短缺、晶体硅太阳电池制造成本居高不下的背景下,硅薄膜电池技术得到了前所未有的重视和发展。在工业化生产过程中,实现高效稳定非晶硅薄膜的高速制备是降
【机 构】
：
尚德电力控股有限公司,江苏 无锡 214082
论文部分内容阅读
在当前晶硅材料严重短缺、晶体硅太阳电池制造成本居高不下的背景下,硅薄膜电池技术得到了前所未有的重视和发展。在工业化生产过程中,实现高效稳定非晶硅薄膜的高速制备是降低电池制造成本的有效途径之一。本文介绍了在RF-PECVD系统上通过优化工艺条件制备出沉积速率在3(A)/S以上的器件质量级a-Si∶H薄膜材料,并在此基础上制备了面积为10*10cm2的集成串联型非晶硅薄膜太阳电池,其初始转换效率接近9％,稳定效率在6.5％以上,有望应用于硅薄膜电池的规模生产。
其他文献
本文结合光学显微镜(OM)观察位错腐蚀坑,利用MWPCD对铸造多晶硅不同部位的样品少子寿命进行了分析。不同部位的样品的平均位错密度达105/cm2,顶部位错密度最高。不同部位的样
冶金硅材料在光伏行业中的应用课题受到越来越多的重视,本文通过跟踪冶金硅材料从拉晶到硅棒电阻率的变化特性,同时研究了电池片封装组件暴晒之后的衰减特性。发现电阻率从硅
近年来，太阳电池工业的迅猛发展致使制备单晶硅的原材料供应十分紧张，加之大部分的硅单晶生产厂家是新参与者，不太了解硅的质量与太阳电池性能之间的关系，因而饥不择食地购入了大
采用新型的刻蚀剂,碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4·12H2O)实现了晶硅表面的织构。研究了刻蚀剂浓度、温度(T)、刻蚀时间(te)和添加剂对晶硅表面织构的影响,讨论了刻蚀机理。
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池。首先研究了低温条件下硅烷浓度对本征层材料及电池性能的影响,在125℃的低温条
10月28日的最新消息是颜艳红已经被提请批准逮捕，罪名仍是“涉嫌寻衅滋事罪”。因为身陷囹圄，没有人能知道从24日事发至今，她对虐童事件有着怎样的认识转变。 10月24日，事情败露时，她对前来采访的记者们解释揪幼儿耳朵不是因为孩子不听话，而是“我平时经常和他闹着玩的，玩得挺好的”。“就很短的时间，我就想拍张照，拍完马上就把他放下来了。”至于为何要把揪耳照片传给家长看，她的解释是：“就是觉得这张照片
以激发频率为60MHz的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)大面积Showerhead平板电极反应室为研究对象,利用FlexPDE和CFD-ACE+商业软件,对反应室电极间的电场和流场分
一个人的成长不是偶然的,而是需要条件,思想家也是如此。在伦敦,严复结识了大清帝国驻英公使郭嵩焘,并且得到他的青睐,与之建立了非同一般的关系。严复与郭嵩焘,年龄、身份和
采用二维自适应流体模型对甚高频等离子体增强化学气相沉积高速率的微晶硅薄膜的过程进行了模拟研究。模拟的结果显示出:同非晶硅薄膜的沉积相比,关键基团的密度具有不同的量
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了单室沉积下腔室磷污染的表现特征。由测试结果发现:单室沉积n层后随即沉积p层或者i层微晶硅,残余的磷将降低微晶p