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在现有的硅-铝-钼烧结工艺的基础上,将钼圆片由原来的5mm厚减薄到4.5mm,并在大型卧式真空烧结炉,温场更为均匀的情况下进行烧结。结果表明,该工艺仍然能得到浅而平坦的烧结合金结,并能保持器件的反向阻断特性和通态特性,保持一定的成品率,且降低了产品成本,响应了节能、低碳的生产要求。
大功率半导体器件芯片烧结工艺的改进
【摘 要】
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在现有的硅-铝-钼烧结工艺的基础上,将钼圆片由原来的5mm厚减薄到4.5mm,并在大型卧式真空烧结炉,温场更为均匀的情况下进行烧结。结果表明,该工艺仍然能得到浅而平坦的烧结合
【机 构】
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北京金自天正智能控制股份有限公司半导体事业部;
【发表日期】
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2004年期
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