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钼片减薄相关论文
大功率半导体器件芯片烧结工艺的改进
在现有的硅-铝-钼烧结工艺的基础上,将钼圆片由原来的5mm厚减薄到4.5mm,并在大型卧式真空烧结炉,温场更为均匀的情况下进行烧结。......
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晶闸管
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钼片减薄
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