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与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE掩埋的DFB激光器下降了35﹪,达到7mA.25℃~80℃的斜效率平均变化1.3dB.