全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性

来源 :全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huxiangye

【摘要】

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与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作

【作者】

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杨新民张哲民周宁王定理张军

【机构】

：

武汉邮电科学研究院(湖北武汉)

【出处】

：

全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

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制作技术激光器阈值电流生长工艺器件特性工艺制作工艺技术测试结果斜效率掩埋显示图形套具结构概念电极波段

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与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE掩埋的DFB激光器下降了35﹪,达到7mA.25℃～80℃的斜效率平均变化1.3dB.

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