薄膜厚度对C面蓝宝石衬底上外延生长的VO2薄膜结构及金属-绝缘体相变的影响

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xingli1314
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  在 341 K 附近,VO2 发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变,同时伴随着光学、电学和学等性质的可逆突变,这种独特的性质使得 VO2 在光电开关材料、智能玻璃、存储介质材料等领域有着广阔的应用前景 1.目前,基于 VO2 材料的应用主要以薄膜状态为主,但是 VO2 的金属-绝缘体相变(MIT)温度高于室温,对氧空位、界面应力等非常敏感.
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