论文部分内容阅读
本文研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器(D/A转换器)在不同偏置条件和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明：D/A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏感。大剂量率辐照时，电路功能正常，各功能参数变化较小；而在低剂量率辐照情况下，各参数变化显著，超出器件允许的范围，器件功能失效.因此，D/A转换器表现出明显的低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)。零偏时，D/A转换器功能参数损伤变化更加严重。最后，结合边缘电场效应和空间电荷模型对这种不同偏置和剂量率条件下的损伤机理进行了初步的探讨。