超深亚微米相关论文
本文详细分析了前人提出的6种设计加固SRAM单元电路,在合理设计电路晶体管尺寸的基础上,利用SPICE电路模拟手段,比较了6种单元在SM......
数字SOC设计技术发展较快,但真正的系统级芯片应该是数模混合信号芯片.混合信号SOC设计技术在超深亚微米的设计实践中遇到很多问题......
近期，Ａｖａｎｔ！公司宣布Ｒｉｃｏｈ公司－数字成像系统的领先者，为他们现在和下一代Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－Ｃｈｉｐ（ＳｏＣ）设计，选择了ＳｉｎｇｌｅＰａｓｓ设计自动化工具。这份数百万美元的合同使Ｒｉｃｏｈ公司能在０．２５，０． １８以及 ０．１３微米......
目前所设计的系统级芯片 (SOC)包含有多个 data- path模块 ,这使得 data- path成为整个 G大规模集成电路 (GSI)设计中最关键的部分......
采用 RL C模型来估计互连线间的耦合噪声并对模拟结果进行分析 ,在此基础上 ,提出了几种不同的算法实现了带串扰约束的集成电路布......
科技部最近在京宣布,总投资达200亿元的“十五”期间12个重大科技专项已经正式批复启动实施,其中“超大规模集成电路和软件重大专......
SOI(Silicon on Insulator)指绝缘体上的硅技术,是为适应航空航天电子需求而发展起来的高新技术。近年来,随着信息技术高速发展,......
深亚微米技术和超深亚微米技术的发展使电子工业正在向可编程系统芯片(SOPC)设计转移,针对SOPC全新的设计流程,本文提出了基于IP的......
随着集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次,互连线开始成为制约系统功能和可靠性的决定性因素。本文介绍了布局布线中的几种优化步......
西安翔腾微电子科技有限公司(以下简称公司)成立于2004年,公司注册资金450万元。公司开展了面向航空电子系统、面向高可靠网络,并......
数字高清晰度电视(Digital HDTV)是当代最先进的图像压缩编码技术和现代通信技术的结合，已成为当今世界高技术竞争的焦点。它的推出......
本论文研究了超深亚微米(VDSM)层次集成电路中的瓦连寄生效应，时间延迟以及串扰噪音等互连特性。文章介绍了双大马士革集成互连结构......
财政部、工信部近日联合发布公告,公示2012年拟支持公共服务平台项目名单。超深亚微米ESL软硬件协同设计实现平台等34个转型升级公......
本文研究的出发点是对超深亚微米工艺条件下的数模混合芯片进行流程优化.在系统层面对芯片的功耗、供电等进行多方面改善,在统一的......
随着器件沟道的缩小，垂直方向电场的影响不能忽略，使得阈值电压的计算变为一个复杂的二维问题。本文用半导体表面载流子与电场的......
针对超深亚微米器件航天应用日益增多的情况，以超深亚微米SRAM和Flash存储器为对象，分析了超深亚微米器件的辐射效应规律特点。超深......
初步研究了沟道长为0.18mm的超深亚微米LDD NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理；数值模拟了0.18mm LDD NMOSFET的......
随着CMOS器件进入超深亚微米阶段,测试时产生的功耗比系统正常工作时的功耗高很多,测试功耗正逐渐成为影响芯片设计的重要因素,芯......
以半导体器件二维数值模拟软件Medici为工具,研究了应变SiGe沟道PMOSFET反型层量子力学效应(QME).模拟和对比了应变SiGe PMOS和Si ......
在超深亚微米ASIC设计中,由互连寄生参数引起的信号完整性问题严重影响着芯片的逻辑功能和时序完整性,成为设计者关注的重点.本文......
目前,MOSFET的沟道长度已经缩短到超深亚微米级.为了将新的物理效应考虑进去,必须完善和改进MOSFET的数值模型.本文的重点是对栅介......
由于辐照环境的存在，会导致器件辐照特性的严重退化，且随着器件尺寸的缩小，总剂量辐照特性会变得越来越严重。本论文主要研究了超深亚......
应用于辐射环境下的半导体芯片受到空间射线的影响,将出现电路特性退化、错误率升高、功耗增大等问题,使芯片可靠性降低甚至出现功......
随着集成电路技术在辐射环境中的广泛应用,针对集成电路辐射效应的研究日益重要。辐射会导致器件和电路性能的退化,甚至是彻底的失......
集成电路被广泛地运用于航空、航天和核电站等特殊领域。当集成电路工作在上述环境中时，会受到各种辐照射线和粒子的威胁，严重影响电......
作为集成电路系统的重要组成部分,高速、低功耗嵌入式静态随机存储器（SRAM）的研究开发得到了广泛重视.该文以嵌入式SRAM设计为核心,......
E-fuse（Electricallyprogrammablefuse，电可编程熔丝）广泛地应用于超大规模芯片的设计中，在芯片中实现冗余的功能。本文在HUALI55nm标......
1.简介rn如今,无线电源管理设计工程师在I/O接口、能量管理以及电池使用寿命方面面临着新的挑战.随着蜂窝电话变得越来越先进,系统......
在低于40纳米的超深亚微米VLSI设计中,时钟树网络在电路时序收敛、功耗、PVT变异客差和串扰噪声规避方面所起的作用要更重要得多.......
EDA技术是现代电子设计技术的核心,它在现代集成电路设计中占据重要地位.随着深亚微米与超深亚微米技术的迅速发展,FPGA设计越来越......
在超深亚微米时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测......
光学邻近效应校正（OPC）是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中，为了寻找合适的掩模补偿图形，必须迭代计算大量的空间稀疏......
超深亚微米(VDSM)工艺下,集成电路的高频、高集成度趋势使互连线间电磁耦合作用不容忽略.首先回顾了典型电感提取方法及实际应用中......
本文基于超大规模集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次下的金属互连(interconnects)特性,研究并提出了布局布线优化步骤:局部布局......
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次.小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多......
探讨了超深亚微米设计中的高速互连线串扰产生机制，提出了一种描述高速互连串扰的电容、电感耦合模型，通过频域变换方法对模型的有效......
首先介绍了集成电路TCAD虚拟工厂系统Tauru Worbench,基于CMOS工艺的特点,在Taurus Workbench环境下进行了深亚微米级N沟器件的核......
在物理设计前期芯片物理信息供不应求的瓶颈制约着超深亚微米系统芯片设计时序、功率、信号完整性收敛及物理层次化设计方法的有效......
通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩......
1.简介如今,无线电源管理设计工程师在I/O接口、能量管理以及电池使用寿命方面面临着新的挑战.随着蜂窝电话变得越来越先进,系统工......
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台.在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的......
集成电路设计进入了超深亚微米领域,金属层增加,线宽减小,使电路的性能和密度都得到了很大的提高,但也引入了愈来愈严重的互连线效......
利用多层金属导体寄生电容模型，详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电器的影响．并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC......
研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P......
