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本文采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiNx)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜,再通过烧结方法形成背场,并探讨了工艺条件即烧结温度、时间和Al膜厚度对开路电压的影响.实验结果表明,开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加.
制备工艺条件对Al背场开路电压的影响
【摘 要】
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本文采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiNx)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜,再通过烧结方法形成背场,并探讨了工艺条件即烧结温度、时间和Al膜厚度对开路电
【机 构】
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江南大学,江苏无锡,214122
【出 处】
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第九届中国太阳能光伏会议
【发表日期】
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2006年期
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