【摘 要】
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用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30℃变化到230℃.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相六角纤锌矿结构,具有(002)择优取向,衬底温度为180℃时制备薄膜的结晶程度较好.Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜的电阻率约为9.0×10-2Ωcm,在可见光范围内平均透过率达到85﹪,制备薄膜的带隙宽度约为3.62eV.
【机 构】
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山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 青岛科技大学,物理系,山东,青岛,26606
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用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30℃变化到230℃.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相六角纤锌矿结构,具有(002)择优取向,衬底温度为180℃时制备薄膜的结晶程度较好.Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜的电阻率约为9.0×10-2Ωcm,在可见光范围内平均透过率达到85﹪,制备薄膜的带隙宽度约为3.62eV.
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