【摘 要】
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本文使用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术制备了大量具有不同N含量、欧姆接触良好的taC:N电极，系统地研究了膜中N含量对taC:N电极EIS行为的影响。所有电化学交流阻抗谱是在1moUL HC104介质中得到的，根据taC:N电极在1mo1/L HCL04介质中的循环伏安图，选取电极电位E = OV(vs. SCE)在平台区域中，以排除法拉第电流对其的影响。
【机 构】
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北京师范大学化学学院,北京,100875 北京师范大学分析测试中心,北京,100875
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本文使用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术制备了大量具有不同N含量、欧姆接触良好的taC:N电极，系统地研究了膜中N含量对taC:N电极EIS行为的影响。所有电化学交流阻抗谱是在1moUL HC104介质中得到的，根据taC:N电极在1mo1/L HCL04介质中的循环伏安图，选取电极电位E = OV(vs. SCE)在平台区域中，以排除法拉第电流对其的影响。
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