Si等单晶表面态对吸附气体分子的电荷转移的光伏研究

来源 :第十二届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liang_yanzhi
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
其他文献
按照大卫·哈维的马克思主义经济学基本分析框架,商品住房的使用价值与交换价值经历了从统一到背离的过程,因而划分为两个阶段.交换价值与使用价值的背离虽然从理论上解释了
该文介绍了Servlet技术及其在一个网上学校系统中的应用,重点阐述了系统的组织,Servlet如何接受来逢浏览器的请求及响应,如何通过JDBC-ODBC桥进行数据库的访问,以 及对用户身份的
采用磁控溅射方法沉积Ge和Si材料在Si(100)衬底上.用喇曼散射对不同工艺下的结构和成分进行了分析,表明制备Ge和Si单晶膜的优化衬底温度为400℃左右.分析了Si/Ge多层膜中Si-G
在温度为600℃、压强为30Mpa和保温2h的条件下,该文成功地实现了S1 3N 4/A1/Si 3N 4试样的真空扩散连接,用SEM和EPMA方法进行的连接机分析表明,Si 3N 4和A!的连接是通过有限的原子
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/SiGeHEMT结构的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的n与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Ismail器件
该文探讨了掺杂元素Si在铝合金直接氮化合成AlN粉体工艺中对氮化产物微观结构的影响并利用光学显微镜,扫描电子显微镜等检测手段对氮化产物进行了表征,实验结果表明,铝合金直接
目的 探讨低剂量长期砷暴露对人皮肤角质形成细胞系(HaCat)细胞蛋白激酶B(PKB/Akt)及其下游信号因子IKK、IκB和NF-κB的影响.方法 将HaCat细胞暴露于浓度为0、0.05、0.10 μ
该文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)生长了锗硅外延层。利用二次离子质量谱仪(SIMS)对外延层中锗的偏聚进行了研究。初步建立了应力应变型锗偏聚的数学模型。