声学声子相关论文
由于AlGaN/GaN/AlGaN 多层异质结构较AlxGa1-xN/GaN 单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和迁移率[1,2],而且非对称AlxGa1-x......
与传统半导体相比,宽禁带半导体具有更好的电子输运、电光和光电特性,其中,以ZnO和GaN为代表的Ⅱ-Ⅵ族和特殊Ⅲ-Ⅴ族三元混晶半导......
基于费密金色的统治和 Boltzmann 碰撞术语近似的理论,散布拉紧的 Si/(111 ) Si1x Ge x 的机制的洞被建立包括电离杂质,散布的声学的......
随着超短脉冲技术的飞速发展,相干声子被广泛的用于研究半导体,金属薄膜,纳米颗粒等材料的性质[1-3]。本文通过双色泵浦探测技术,......
采用磁控溅射方法沉积Ge和Si材料在Si(100)衬底上.用喇曼散射对不同工艺下的结构和成分进行了分析,表明制备Ge和Si单晶膜的优化衬......
Feynman关于纳米技术的预言、超晶格的发展以及纳米微粒的成功制备,使纳米技术成为当前物理学科和材料科学的研究热点之一。同时,......
Self-assembled Si/Ge quantum dot (QD) structures have been intensivelystudied in the last years for potential applicatio......
我们选用x=0,0.14,0.36,0.54,和0.92的Y3-xBixFe5O12系列单晶,开展了比早期实验更为深入的布里渊散射研究。实验发现对于Bi-YIC晶体......
本文研究磁场中二维非极性晶体通过形变势与声学声子强、弱耦合的表面极化子的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法导出表面磁......
SiGe/Si多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏(复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海200433)LightScateringfromAcousticPhononsinMultipleSiGe/SiSuperlat.........
在固态—空腔量子电动力学系统中,研究半导体量子点跟固体环境中声学声子耦合时,通常忽略压电耦合,仅考虑形变势耦合。针对GaAs量......
利用系综Monte Carlo法研究了2H-,4H-和6H SiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极......
用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首......
本文采用推广的Landau-Pekar强耦合极化子的波函数,分别讨论一维以及二维晶体中的强耦合形变势声学极化子的基态性质,得到系统的基态......
我们运用连续弹性近似和传递矩阵的方法研究了缺陷层对一维晶格声子输运的影响,发现一维声学声子的能带谱线可以很好地与透射系数相......
纳米科技对电子学、光电子学、材料科学等不同领域有着革命性的影响。纳米结构材料因在力、热、光、电和磁等方面的特性,成为近几......
本文利用反射式飞秒抽运-探测技术,系统研究了飞秒激光诱导La和Nb共掺杂的铁酸铋(Bi0.8La0.2Fe0.99Nb0.01O3)薄膜中纵向声学声子的......