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本文采用电沉积技术在ITO导电玻璃上制备出CuInSe2薄膜,并对其进行了X射线衍射,扫描电镜以及循环伏安等测试.结果表明:热处理可使CuInSe2薄膜具有优先取向生长的趋势,络合试剂TEA可使Cu2+的沉积电位负移,并可提高薄膜的均匀性和致密性.
电沉积法制备CuInSe2薄膜光伏电池及添加剂的表面修饰作用
【摘 要】
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本文采用电沉积技术在ITO导电玻璃上制备出CuInSe2薄膜,并对其进行了X射线衍射,扫描电镜以及循环伏安等测试.结果表明:热处理可使CuInSe2薄膜具有优先取向生长的趋势,络合试
【机 构】
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中国科学院,大连化学物理研究所,大连,116023
【出 处】
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2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议
【发表日期】
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2006年11期
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