真空微电子压力传感器研究

来源 :第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haojianhong
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本文介绍了作者在真空微电子压力传感器研究方面所做的工作,以及最新研究进展和实验结果,并就真空微电子压力传感器的优缺点及其发展阐述了个人观点.
其他文献
作者通过反复实验和比较分析,在非晶金刚石薄膜发射实验中首次得到晶格水平的相变数据,并提出了场致诱导相变阶越增强电子发射机理.
本文研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性.采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜.用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜的结构并在高真空条件下研究了它的场发射特性.
采用PIC粒子模拟软件MAGIC模拟了共面双栅极金刚石薄膜FEAs的特性,在模拟时假设其结构为长条型,得到了该结构的电子轨迹、相空间图和发射电流的特性,表明反射极对电子注有会聚作用,从而形成良好的电子注.
介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构已经实现室温下光泵激发的紫外受激发射;调整晶粒自身的尺寸和结晶质量,可以在较低的光泵阈值下实现紫外激光.
本文研究了掺氮非晶金刚石薄膜场致电子发射的能量分布.发现能量分布呈多峰分布且峰值位置随场强增大而左移.我们对这些峰的位置和半高宽进行了拟合,并结合准隧穿模型和杂质能带发射模型解释了结果.
本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中我们测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.
本文在超高真空环境下通过高温处理在金属钨针尖上形成了碳化钨薄膜,对其场发射特性进行了测量,并估算了其逸出功.
本文研究了金刚石薄膜的场发射特性.从金刚石薄膜自身的角度,研究了不同的晶体结构对场发射的影响;从金刚石薄膜和硅衬底的界面形态的角度,研究了光滑界面和划痕界面对场发射的影响;从金刚石与衬底的过渡层的角度,研究了高电导率的CoSi过渡层对金刚石膜场发射特性的影响.
本文论述了产生真空荧光光源VFLS的时代背景,介绍了采用低压荧光粉的前发光型全玻璃简单平板二极管VFLS的结构与工艺,目前存在的问题及前景.
作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质谱计进行了热处理过程中的残气分析.