利用场发射显微镜研究碳化钨场发射

来源 :第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:m168471863
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本文在超高真空环境下通过高温处理在金属钨针尖上形成了碳化钨薄膜,对其场发射特性进行了测量,并估算了其逸出功.
其他文献
碳纳米管(CNT)作为场发射阴极(FEC)具有很好的性能.我们研究了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法和它的性能.文中涉及涂布方法、纯化方法和表面处理方法,主要关心的性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命.
在硅基底上利用低压化学气相沉积法生长出碳纳米管薄膜.基底上涂敷有一层氢氧化铁溶胶薄膜,氢氧化铁在氢气还原下成为纳米尺寸的催化剂FeO颗粒簇,在适当的温度下通入乙炔气体,便生长出碳纳米管.不同的氢氧化铁溶胶浓度决定了不同尺寸的催化剂颗粒簇,从而决定了碳纳米管薄膜的生长密度.不同密度的碳纳米管薄膜具有不同的场发射特性.扫描电镜分析结果和场发射特性测试结果表明生长密度较低的碳纳米管薄膜具有更低的工作电压
单壁碳纳米管的顶端表面结构对场发射特性有很大影响.本文作者利用场离子显微镜(FIM)观测了单壁碳纳米管的氦场离子显微镜像.
本文研究介质薄膜场致发射的模拟计算方法.介绍了场致发射的基本计算公式以及实体模型透射系数的求解,简化模型伏安特性的计算结果.
作者通过反复实验和比较分析,在非晶金刚石薄膜发射实验中首次得到晶格水平的相变数据,并提出了场致诱导相变阶越增强电子发射机理.
本文研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性.采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微晶沉积到Ti电极衬底上,用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜.用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜的结构并在高真空条件下研究了它的场发射特性.
采用PIC粒子模拟软件MAGIC模拟了共面双栅极金刚石薄膜FEAs的特性,在模拟时假设其结构为长条型,得到了该结构的电子轨迹、相空间图和发射电流的特性,表明反射极对电子注有会聚作用,从而形成良好的电子注.
介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构已经实现室温下光泵激发的紫外受激发射;调整晶粒自身的尺寸和结晶质量,可以在较低的光泵阈值下实现紫外激光.
本文研究了掺氮非晶金刚石薄膜场致电子发射的能量分布.发现能量分布呈多峰分布且峰值位置随场强增大而左移.我们对这些峰的位置和半高宽进行了拟合,并结合准隧穿模型和杂质能带发射模型解释了结果.
本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中我们测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与基板偏压和膜厚关系很大.