【摘 要】
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介绍了在本征I基区采用掺杂浓度两层渐变式结构的SiGe/Si异质结开关功率二极管.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正反向I-V特性基本不发生改变的前提下,得到了与I区固定掺杂结构相比更好的反向恢复特性,软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.本文随后对渐变掺杂所得到的优越性能进行了理论分析,并对层段厚度的比例进行了优化设计.
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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介绍了在本征I基区采用掺杂浓度两层渐变式结构的SiGe/Si异质结开关功率二极管.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正反向I-V特性基本不发生改变的前提下,得到了与I区固定掺杂结构相比更好的反向恢复特性,软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.本文随后对渐变掺杂所得到的优越性能进行了理论分析,并对层段厚度的比例进行了优化设计.
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