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用正电子湮没寿命谱及最大熵原理研究了塑性形变p型GaAs中的缺陷性质。样品原始载流子浓度为2.63×10<18>cm<-3>。形变量分别为2.5℅和15℅。室温正电子了寿命测量结果显示，形变样品中有新的空位型缺陷产生，鉴定为空位团。根据塑性形变样品中空位团的正电子捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断：在p型GaAs中，塑性形变产生的空位团的荷电性为正。